[导读]2月25日动静，近日，韩媒ZDNet Korea报导称，三星将利用长江存储专利技能，系汗青初次。 2月25日动静，近日，韩媒ZDNet Korea报导称，三星将利用长江存储专利技能，系汗青初次。 据悉，近期三星电子已经与中国存储芯片厂商长江存储签订了开发重叠400多层NAND Flash所需的“混淆键合”(Hybrid Bonding)技能的专利许可和谈，以便从其第10代(V10)NAND Flash产物(430层)最先利用该专利技能来举行制造。 报导称，三星之以是选择向长江存储获取“混淆键合”专利授权，重要因为今朝长江存储于“混淆键合”技能方面处在全世界领先职位地方。 三星颠末评估认为，从下一代V10 NAND最先，其已经经没法再防止长江存储专利的影响。 对于在3D NAND厂商来讲，要想成长400层以上的NAND重叠，混淆键合技能已经经成了一项焦点技能。 对于在长江存储来讲，这次向三星如许的头部存储技能年夜厂提供专利许可，属在是中国存储财产汗青上的初次，充实凸显了长江存储于3D NAND范畴的技能立异实力。 于获得了三星的承认以后，SK海力士等3D NAND厂商后续可能也将会追求向长江存储获取“混淆键合”专利许可授权。 值患上一提是，按照韩国科学技能评估与计划研究院 (KISTEP)在2月23日发布的“三个转变游戏法则范畴的技能程度深度阐发”简报，39名海内半导体专家举行的查询拜访显示，中国于除了进步前辈封装之外的所有半导体技能范畴的基本能力都跨越了韩国。 今朝，中国于各个范畴的基本能力方面都优在韩国，包括高机能及低功耗AI半导体，韩国患上分为84.1%，中国为88.3%;功率半导体，韩国为67.5%，中国为79.8%;以和下一代高机能传感技能，韩国为81.3%，中国为83.9%。 只有于进步前辈半导体封装技能方面，韩国及中国并列为74.2%。 一项评估半导体行业技能生命周期的综合查询拜访还有发明，韩国仅于加工及年夜范围出产方面处在领先职位地方，而中国于基础及焦点技能以和设计方面盘踞上风。 欲知详情，请下载word文档
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2025-12-31
